凈化工程具體工藝對溫度的要求以后還要列舉，但作為總的原則看，由于加工精度越來越精細，所以對溫度波動范圍的要求越來越小。例如在大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數(shù)的差要求越來越小。直徑100um的硅片，溫度上升1度，就引起了0.24um線性膨脹，所以應(yīng)該有±0.1度的恒溫，同時要求濕度值一般較低，因為人出汗以后，對產(chǎn)品將有污染，特別是怕鈉的半導(dǎo)體車間，這種車間不宜超過25度。

濕度過高產(chǎn)生的問題更多。相對濕度超過55%時，冷卻水管壁上會結(jié)露，如果發(fā)生在*密裝置或電路中，就會引起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。此外，濕度太高時將通過空氣中的水分子把硅片表面粘著的灰塵化學(xué)吸附在表面*難以清除。相對濕度越高,粘附的難去掉，但當相對濕度低于30%時，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時大量半導(dǎo)體器件容易發(fā)生擊穿。對于硅片生產(chǎn)**佳溫度范圍為35—45%。

潔凈室中的氣壓規(guī)定:

對于大部分潔凈空間，為了防止外界污染侵入，需要保持內(nèi)部的壓力(靜壓)高于外部的壓力(靜壓)。壓力差的維持一般應(yīng)符合以下原則：

1.潔凈空間的壓力要高于非潔凈空間的壓力。

2.潔凈度**高的空間的壓力要高于相鄰的潔凈度**低的空間的壓力。

3.相通潔凈室之間的門要開向潔凈度**高的房間。

壓力差的維持依靠新風(fēng)量，這個新風(fēng)量要能補償在這一壓力差下從縫隙漏泄掉的風(fēng)量。所以壓力差的物理意義就是漏泄(或滲透)風(fēng)量通過潔凈室的各種縫隙時的阻力。